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东海半导体授权世强硬创署理IGBT单管模块、SiC二极管MOS

发布时间:2023-11-24 16:00:12 | 作者: 雷竞技官网官方网站入口


  日前,江苏东海半导体有限公司(下称“东海半导体”,英文名:WXDH ELECTRONICS)与世强先进(深圳)科技股份有限公司(下称“世强先进”)正式签署协议。

  依据战略协作结构协议,依托世强硬创渠道将平面MOS、Trench MOS、SGT MOS、Cool MOS、SJ MOS、SIC MOS、肖特基二极管、LOW-VF肖特基二极管、SIC二极管等产品高效触达至下流终端运用商场。

  据悉,东海半导于江苏省,占地面积15000平方米,现有职工200+人,具有一条年产5亿只功率器材的生产线。

  该公司致力于先进功率器材的规划研制、封装制作和运用计划研讨,聚集在太阳能光伏、新能源轿车、锂电储能、轻型电动车、电动工具等高端和新式商场运用。

  东海半导体具有国内一流的8+12寸晶圆代工厂,首要封装别离有TO-3P、TO-247、TO-92、TO-126、TO-251、TO-252、TO-263、TO-220、TO-220F、SOT、QFN系列。并设有器材特性测验、可靠性测验、运用测验和失效剖析四个实验室。

  其间,650V FS IGBT选用FS沟槽技能,可供给杰出的开关功能,具有高雪崩耐用性、易于并联操作;而40A 1200V TRENCHSTOP IGBT运用先进的沟槽和场截止技能规划,不仅能供给优异的VCEsat和开关速度、低栅极电荷,还具有杰出的开关速度,VCEsat中的正温度系数带来轻松并联的才能。

  另一方面,东海半导体标称电压为30~150V的功率MOSFET运用先进的分栅沟槽技能,契合RoHS规范。具有低导通电阻、低栅极电荷、快速切换、低反向传输电容、100%单脉冲雪崩能量测验等功能及特色。一起东海半导体也具有650-1700V的碳化硅MOS管,以及150-200V完全的中低压MOSFET技能渠道(Trench+SGT),技能水平先进,产品系列丰厚。

  自2004年建立以来,东海半导体全线产品已深度运用于工业、消费、轿车、光伏新能源、风机、伺服电机、PLC、电动车操控器、电动工具无刷电机、充电器、开关电源、车灯、座椅操控、360印象、逆变器、储能、大型工商业等范畴客户,并取得TTI、Philips、 欧普照明、小米等闻名协作伙伴的一起好评。

  世强硬创表明,“作为抢先的ToB一站式立异研制及供给服务渠道,根据渠道O2O技能分销服务促进两边达到战略协作,未来将凭仗本身优势助力东海半导体的优势产品掩盖至光伏逆变器、轿车电子、工业等范畴客户集体,一起供给高品质的产品及一站式服务。”